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靶材
溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材。 溅射靶材有金属，合金、氧化物及其它化合物等。
溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等；亦可应用于玻璃镀膜领域；还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。
溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等；亦可应用于玻璃镀膜领域；还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。
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品名 |
规格 |
纯度 |
密度 （g/cm3） |
熔点℃ |
工艺 |
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Al靶材 |
根据顾客的要求定制平面、旋转等靶材。 |
5N5 |
2.702 |
660 |
挤压 |
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Al2O3靶材 |
4N |
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烧结 |
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Ag靶材 |
4N |
10.5 |
916 |
熔炼 |
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AZO靶材 |
3N5 |
5.52 |
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烧结 |
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Cu靶材 |
3N5 |
8.95 |
1082.5 |
熔炼 |
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Cr靶材 |
2N5-3N5 |
7.19 |
1857 |
HIP |
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CdTe靶材 |
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CuSe靶材 |
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CuGa靶材 |
4N |
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熔炼 |
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Ga靶材 |
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In靶材 |
4N5 |
7.31 |
156.61 |
熔炼 |
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InSe靶材 |
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ITO靶材 |
4N |
7.15 |
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烧结 |
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LnGaSe靶材 |
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Mo靶材 |
3N5 |
10.22 |
2610 |
烧结，挤压 |
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Nb靶材 |
3N5 |
8.57 |
2467 |
EB熔炼 |
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NbOx靶材 |
4N |
4.55 |
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NiCr靶材 |
2N8 |
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1430 |
真空熔炼 |
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NiV靶材 |
3N |
8.62 |
1462 |
烧结 |
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Si靶材 |
5N |
2.33 |
1420 |
热喷涂 |
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SiO2靶材 |
4N5 |
2.202 |
1713 |
熔炼 |
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SiAl靶材 |
2N8 |
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1350 |
热喷涂 |
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Sn靶材 |
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Ta靶材 |
3N5 |
16.65 |
2996 |
熔炼 |
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Ta2O5靶材 |
3N5 |
5.2 |
1872 |
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Ti靶材 |
3N-4N5 |
4.54 |
1688 |
熔炼 |
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TiAl靶材 |
2N6 |
3.85 |
1510 |
真空熔炼 |
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TiO2靶材 |
3N5 |
4.24 |
- |
热喷涂 |
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Zn靶材 |
3N5 |
7.13 |
419.73 |
低熔点浇铸 |
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ZnAl靶材 |
2N8 |
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430 |
浇铸 |
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ZnO靶材 |
4N |
5.6 |
1975 |
烧结 |
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ZnSn靶材 |
2N8 |
7.04 |
360 |
浇铸 |
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